边所示,因此EEPROM比UVPROM存储单元所占的面积大,且EEPRoM中有特殊结构的浮栅晶体管,使得造价很高难以制造。
5.Fhsh EEPROM(F1ash):FLash出现于1984年,此后就得到了迅猛发展,现己成为应用最广泛的存储器之一.大部分Fish的擦除采用的是与EEPROM相同的方法即隧穿效应,而编程采用的是与LrVPROM相同的机制即热电子注入效应。
图1.6所示的Flash存储单元结构由IDtel公司提出【12】。
,唯傩ttn■黜t尊 P暑uB嘲tr堆t尊 图1.6 FLASH存储单元结构 图1.6所示的结构中采用了非常薄的一层隧道氧化层,利用栅氧化层的不同部位分别进行编程和.
上一篇:
科技小论文300字
下一篇:
初涉讲台感悟